用恒流源向MOSFET的G-S极充电，并测量VGS电压，绘制出VGS关于时间的图线，便可以换算成VGS关于Qg的图线。虽然这样的测试条件和厂家的可能不同，对小功率MOSFET之间比较栅极驱动特性是够用的。

上图中Q3是被测的NMOS，Q1,R1,LED1构成恒流源（100微安左右），为Q3的栅极充电。此恒流源的开关受Q2控制。R4, Q6是Q3的栅极电荷泄放回路，我在做PCB时并没有加上，Q6的位置原来是一个按钮开关（没法自动化，原来没意识到放电的重要性）。

Q4是为了测量Q3栅极电压所设的跟随器，它用了Q5等元件组成的恒流负载。H1是排母，连接到Analog Discovery 2进行测量。P1是高压接入口，R2是被测NMOS管的负载。

测试方法是Analog Discovery2通过数字IO开启Q6进行预放电，再关闭Q6然后开启Q2，使恒流源工作，充电开始。同时ADC转换触发，数据采集进行。一段时间后Q2关闭，随后Q6开启进行电荷泄放。也可以用这个电路加上MCU，搭配数字示波器来进行测量。

上图是SOT-23的NMOS测量装置图，测试板连接了一个12V小功率电源。

用Digilent Waveform的Scope进行采集作图就可以看出VGS对Qg的特性了。例如：

横坐标通过人脑换算成Qg即可。有这样的测试图，不同管子的特性横向比较就很直观了。

这一版测试电路的G-S寄生电容等效大约有4pF，是从不插管子时G端电压上升斜率算得的。虽然对测试的影响不大，再重做要注意不能随意铺铜。

实验中发现LED的光电效应会干扰测试。在室内并不强的光照射到电路图上LED1时，即使恒流源没有开启，被测管也导通了。我从以前延续的习惯：用LED代替稳压管做恒流源，该斟酌一下了。